О компании Microsemi
Microsemi Corporation, основанная в 1960 году, является глобальным производителем полупроводниковых устройств, специализирующимся на силовой электронике, системах безопасности, аэрокосмических и промышленных решениях. В 2018 году компания была приобретена корпорацией Microchip Technology. Microsemi известна своими высоконадежными решениями для критически важных приложений, включая военное, авиакосмическое и медицинское оборудование.
Основные модели силовых модулей Microsemi
Серия APT (Advanced Power Technology)
- APT25GF120JRD: 25А/1200В IGBT модуль с быстрым диодом
- APT40GF120JRD: 40А/1200В IGBT модуль с быстрым диодом
- APT75GF120JRD: 75А/1200В IGBT модуль с быстрым диодом
- APT100GF120JRD: 100А/1200В IGBT модуль с быстрым диодом
- APT150GF120JRD: 150А/1200В IGBT модуль с быстрым диодом
Серия APTM (APT Module)
- APTM30H60T3G: 30А/600В силовой модуль с фазовой ножкой
- APTM50AM20T3G: 50А/200В силовой MOSFET модуль
- APTM60AM60T3G: 60А/600В силовой MOSFET модуль
- APTM100AM20SCT3G: 100А/200В SiC MOSFET модуль
- APTM120A60TG: 120А/600В силовой модуль с топологией H-мост
Серия APTGL (Green Line)
- APTGL60DA120T1G: 60А/1200В диодный модуль с улучшенной эффективностью
- APTGL90DA60T1G: 90А/600В диодный модуль с улучшенной эффективностью
- APTGL120DA60T1G: 120А/600В диодный модуль с улучшенной эффективностью
- APTGL60TL60T3G: 60А/600В MOSFET модуль с низким уровнем потерь
- APTGL90TL60T3G: 90А/600В MOSFET модуль с низким уровнем потерь
Серия APSQM (SiC MOSFET модули)
- APSQM35R065FN: 35А/650В модуль на основе SiC технологии
- APSQM50R065FN: 50А/650В модуль на основе SiC технологии
- APSQM65R065FN: 65А/650В модуль на основе SiC технологии
- APSQM100R065FN: 100А/650В модуль на основе SiC технологии
- APSQM150R065FN: 150А/650В модуль на основе SiC технологии
Серия APTDF (Fast Recovery Diodes)
- APTDF200A120D: 200А/1200В быстровосстанавливающийся диодный модуль
- APTDF300A60D: 300А/600В быстровосстанавливающийся диодный модуль
- APTDF400A120D: 400А/1200В быстровосстанавливающийся диодный модуль
- APTDF600A60D: 600А/600В быстровосстанавливающийся диодный модуль
- APTDF800A60D: 800А/600В быстровосстанавливающийся диодный модуль
Серия APTGF (IGBT Modules)
- APTGF50DA60T3G: 50А/600В IGBT модуль с диодом
- APTGF75DA120T3G: 75А/1200В IGBT модуль с диодом
- APTGF100DA60T3G: 100А/600В IGBT модуль с диодом
- APTGF150DA60T3G: 150А/600В IGBT модуль с диодом
- APTGF200DA120T3G: 200А/1200В IGBT модуль с диодом
Серия MSCSICMOD (SiC силовые модули)
- MSCSICMOD-H45MT1-01: 45А/1200В SiC MOSFET полумостовой модуль
- MSCSICMOD-H80MT1-01: 80А/1200В SiC MOSFET полумостовой модуль
- MSCSICMOD-H150MT1-01: 150А/1200В SiC MOSFET полумостовой модуль
- MSCSICMOD-HB50MT1-01: 50А/1200В SiC MOSFET модуль H-мост
- MSCSICMOD-HB100MT1-01: 100А/1200В SiC MOSFET модуль H-мост
Ключевые слова:
apt25gf120jrd, apt40gf120jrd, apt75gf120jrd, apt100gf120jrd, apt150gf120jrd, aptm30h60t3g, aptm50am20t3g, aptm60am60t3g, aptm100am20sct3g, aptm120a60tg, aptgl60da120t1g, aptgl90da60t1g, aptgl120da60t1g, aptgl60tl60t3g, aptgl90tl60t3g, apsqm35r065fn, apsqm50r065fn, apsqm65r065fn, apsqm100r065fn, apsqm150r065fn, aptdf200a120d, aptdf300a60d, aptdf400a120d, aptdf600a60d, aptdf800a60d, aptgf50da60t3g, aptgf75da120t3g, aptgf100da60t3g, aptgf150da60t3g, aptgf200da120t3g, mscsicmod-h45mt1-01, mscsicmod-h80mt1-01, mscsicmod-h150mt1-01, mscsicmod-hb50mt1-01, mscsicmod-hb100mt1-01